웨이퍼(Wafer) 완벽 가이드: 혁신의 캔버스
웨이퍼(Wafer) 완벽 가이드 2026: 혁신의 캔버스 | Dalpack Ultimate Material Guide Semiconductor Wafers 웨이퍼 (Si, SiC, GaN): 혁신을 그리는 캔버스 전통적인 실리콘(Si)부터 차세대 전력 반도체용 SiC, GaN까지. 밴드갭(Bandgap) 에너지와 전자 이동도의 차이가 디바이스의 성능을 결정합니다. ▲ [소재 전경] SiC와 GaN은 실리콘보다 결정 성장(Crystal Growth)이 훨씬 어렵고 가격이 비싸지만, 고온·고전압 환경에서 압도적인 효율을 발휘합니다. 1. 웨이퍼(Wafer) 소재별 특성 (Deep Dive) 웨이퍼 는 반도체 집적회로(IC)를 만들기 위한 토대가 되는 얇은 원판입니다. 가장 널리 쓰이는 실리콘(Si) 은 가격이 저렴하고 대구경화(12인치)가 쉬워 메모리나 로직 반도체의 표준이 되었지만, 전압이 높아지거나 온도가 올라가면 반도체 성질을 잃어버리는 물리적 한계가 있습니다. 이에 전기차(EV), 5G 통신, 급속 충전기 등 고전력·고주파 분야를 중심으로 'WBG (Wide Bandgap, 넓은 띠틈)' 소재인 SiC와 GaN이 급부상하고 있습니다. 탄화규소(SiC) 는 실리콘 대비 밴드갭이 3배 넓고 절연 파괴 전계가 10배 높아, 600V 이상의 고전압을 견디는 전기차 인버터에 최적입니다. 질화갈륨(GaN) 은 전자 이동도(Mobility)가 매우 빨라 스위칭 속도...