CVD(화학기상증착) 원리 및 종류 완벽 가이드: PECVD부터 ALD 차이까지
CVD(화학기상증착) 완벽 가이드 2026: 기체로 쌓는 나노 성벽 | Dalpack Ultimate Process Guide CVD (Chemical Vapor Deposition) 화학 기상 증착: 기체로 쌓는 나노 성벽 기체 상태의 전구체를 반응시켜 원자 단위의 견고한 박막을 형성합니다. PECVD부터 MOCVD까지, 반도체 소자의 보호막과 절연막을 책임지는 핵심 기술. ▲ [공정 전경] CVD는 가스의 유량, 압력, 온도를 미세하게 조절하여 막의 두께와 물성을 제어하며, PVD 방식보다 단차 피복성(Step Coverage)이 월등히 뛰어납니다. 1. CVD(화학 기상 증착)란? (Deep Dive) CVD (Chemical Vapor Deposition) 는 전구체(Precursor) 가스를 챔버에 주입하고 열이나 플라즈마 에너지로 분해하여, 웨이퍼 표면에서 화학 반응을 일으켜 고체 박막을 쌓는 기술입니다. 물리적으로 재료를 입히는 PVD와 달리 화학적 결합을 이용하므로 막질이 치밀하고 부착력이 우수합니다. 반도체의 절연막(SiO2, SiNx), 전도성 금속막(W, TiN), 그리고 트랜지스터의 게이트 산화막 등 소자의 기능을 결정짓는 다양한 층이 CVD로 만들어집니다. 2026년형 CVD 트렌드는 '저온 공정' 과 '초미세 갭필(Gap-fill)' 입니다. 소자가 미세해지면서 열에 의한 손상을 막기 위해 더 낮은 온도에서 고품질 막을...