반도체 웨이퍼 문의하기

반도체 웨이퍼 소재(Wafer Substrate)

고순도 단결정 성장 기술로 제조된 최상급 웨이퍼를 통해 소자의 성능과 신뢰성을 보장합니다.
용도에 맞는 최적의 소재(Si, SiC, GaN)와 정밀 사양을 제안합니다.

1. 고객사 정보 (Contact Info)

회사명 *

담당자명 *

연락처 *

이메일 *

2. 웨이퍼 기본 사양 (Basic Specs)

웨이퍼 소재 선택 *

실리콘 (Si)
메모리, 로직 IC 등 범용 반도체 표준 탄화규소 (SiC)
전력 반도체, 고전압/고온 환경 최적 질화갈륨 (GaN)
고주파(RF), 고효율 충전기, 통신 장비

웨이퍼 직경(Diameter) * 4인치 (100mm) 6인치 (150mm) 8인치 (200mm) 12인치 (300mm)

웨이퍼 등급 * Prime (최고 품질/양산용) Test (공정 테스트용) Dummy (설비 셋업용)

두께 (Thickness, μm)

요청 수량 (pcs/batch)

3. 상세 기술 사양 (Technical Specs)

결정 방향 (Orientation) <100> <111> <110>

도핑 타입 및 원소 P-type (Boron) N-type (Phosphorus) N-type (Arsenic) Intrinsic (Pure)

저항률 범위 (Resistivity, Ω·cm)

표면 처리 (Surface) SSP (Single Side Polished) DSP (Double Side Polished) Epi-ready (에피 성장용)

기타 문의사항 (Flat/Notch 정보 및 특수 입자 사양 등)

※ 입력하신 정보는 문의하신 내용에 따라 관련 제조사 또는 공급사에 전달될 수 있습니다.