반도체 CMP 시스템 문의하기

반도체 CMP 시스템

화학적 에칭과 기계적 연마의 결합으로 웨이퍼 표면을 나노 단위로 평탄화합니다.
다층 배선 공정의 핵심인 완벽한 평탄도와 낮은 결함률을 실현하는 최적의 설비를 제안합니다.

1. 고객사 정보 (Contact Info)

회사명 *

담당자명 *

연락처 *

이메일 *

2. 공정 사양 및 기술 정보 (Technical Specs)

연마 대상 층(Layer) 선택 *

Oxide/ILD
절연막 평탄화 공정 Metal (Cu/W)
구리/텅스텐 배선 형성 및 평탄화 STI
소자 격리 영역 연마 공정

웨이퍼 규격 * 8인치 (200mm) 12인치 (300mm) 기타 규격 (실험용/특수)

헤드(Platen) 수 구성 Single Head Dual Head (생산성 향상) Multi-Head (고속 양산형)

요구 균일도 (WIW Uniformity)

주요 사용 슬러지 종류

3. 시스템 옵션 및 세정 구성 (Options)

측정 및 세정 부가 옵션

실시간 종점 탐지 (EPD)
두께 실시간 모니터링 및 자동 정지 Post-CMP Cleaner 일체형
연마 후 브러시/화학 세정 및 건조 패드 컨디셔너 자동화
연마 패드 표면 상태 실시간 복원 슬러지 자동 공급 장치
유량 및 혼합 농도 정밀 제어

기타 문의사항 (설치 공간 및 환경 등)

※ 타겟 소재의 제거율(Removal Rate)과 디싱(Dishing) 방지를 위한 공정 레시피 최적화 상담이 가능합니다.