포토레지스트(PR) 소재 문의하기

포토레지스트(Photoresist) 소재

초미세 회로 패턴 형성을 위한 최적의 감도와 해상력을 갖춘 감광 재료를 제공합니다.
현장의 노광 광원 및 타겟 막 두께에 최적화된 PR 솔루션을 제안합니다.

1. 고객사 정보 (Contact Info)

회사명 *

담당자명 *

연락처 *

이메일 *

2. 감광액 사양 및 노광 조건 (Technical Specs)

노광 광원 및 프로세스 선택 *

KrF (248nm)
표준 회로 및 후공정, 범용 PR ArF (193nm)
고해상도 패턴, ArF Dry/Immersion 대응 i-Line / g-Line
두꺼운 박막, 후방 공정 및 레거시 대응 EUV (13.5nm)
7nm 이하 초미세 선단 공정 전용

PR 타입 선택 * Positive (노광 부위 제거) Negative (비노광 부위 제거)

요구 점도 (Viscosity, cP)

목표 막 두께 (Thickness, μm/nm) *

포장 단위 1 Gallon (표준 보틀) 1 Liter 대용량 드럼 (양산용)

3. 공정 옵션 및 부자재 (Options)

함께 필요한 보조 약액

현상액 (Developer)
PR에 최적화된 TMAH 기반 솔루션 신너 (Thinner/EBR)
엣지 비드 제거 및 베젤 세정용 프라이머 (HMDS)
웨이퍼 표면 밀착성 향상제 반사방지 코팅 (BARC)
노광 시 난반사 억제용 하부 코팅제

기타 문의사항 (타겟 해상도 및 스핀 코팅 조건 등)

🔒 기밀 유지는 기본입니다. 귀하의 프로젝트는 최적의 솔루션을 위해 오직 검증된 전문가에게만 제한적으로 열람됩니다.